Диаметр полупроводниковых пластин — 60мм, 76мм, 100м
Толщина полупроводниковых пластин — 0,3...0,525мм
Размер минимального элемента изображения — не более 1 мкм
Неравномерность освещенности рабочего поля — 5 %
Погрешность совмещения элементов
фотошаблона и полупроводниковой пластины — ± 0,25 мкм
Линейное увеличение микроскопа — 46....225*